氮化镓在射频领域的应用优势

     自从20年前第一批商用产品问世,GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手,并且,正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时出现,但GaN-on-SiC在技术上已经变得更加成熟。GaN-on-SiC目前主导了RF GaN市场,已渗透到4G LTE无线基础设施市场,预计将部署在5G sub-6Ghz的RRH架构中。

射频氮化镓市场前景分析

     在电信基础设施和国防两大主要市场的推动下,预计到2024年RF GaN整体市场规模将增长至20亿美元。过去十年,全球对电信基础设施的投资一直很稳定,并且,中国政府的投入近年持续增长。在这个稳定的市场中,更高的频率趋势,为RF GaN在5G网络频率低于6GHz(sub-6Ghz)的功率放大器(PA)中找到了用武之地。